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苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利提高外延层的性能添加时间：2024-08-29 19:05:00
金融界 2024 年 8 月 28 日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州晶湛半导体有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法“，授权公告号 CN113169227B，申请日期为 2018 年 9 月。
专利摘要显示，提供了一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：衬底和设置在衬底上的外延层。外延层的至少一部分掺杂有金属原子，靠近衬底的外延层的下表面的金属原子的掺杂浓度高于 1×1017atoms/cm3。
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