最新公告：
最新资讯
全国服务热线:联系我们
18005328353
- 地址：
- 江苏省铜山区沿湖街道办事处产业园B1213
- 邮箱：
- admin@aedcy.com
- 电话：
- 18005328353
- 传真：
- 18005328353
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利避免栅极隔断层损伤导致金属连线结构和栅极短路添加时间：2024-10-21 03:28:57
专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层、第二介质层、贯穿所述第一介质层的栅极层、隔断所述栅极层的栅极隔断层以及隔断所述栅极隔断层的第一金属层和延伸至栅极隔断层的第二金属层牺牲层位于所述栅极隔断层上方的第二介质层表面第三介质层，位于所述第二介质层表面和牺牲层表面；贯穿所述第三介质层延伸至所述牺牲层中电连接所述第一金属层的金属连线结构、贯穿所述第三介质层和第二介质层电连接所述栅极层的第一接触结构、开云真人贯穿所述第三介质层电连接所述第二金属层的第二接触结构。本申请可以避免栅极隔断层损伤导致金属连线结构和栅极短路。
新华社快讯：哈马斯媒体办公室19日说，开云真人以色列军队对加沙地带北部拜特拉希耶的袭击已造成73人死亡
读者提供治湿疹的祖传秘方，有效率90%，他们家现在不靠这个养家糊口，便公开造福患者。
伊姐周日热推：电视剧《你的谎言也动听》；电影《小丑2：双重妄想》......
LOL-S14:绝活齐出将LCK队伍逼到绝境，FLY 2-3惜败GEN止步八强